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歐姆龍帶固態(tài)繼電器的MOS FET繼電器模塊G3VM-21MT

2020-03-25

近期歐姆龍發(fā)布“ T型電路結(jié)構(gòu)”首款帶固態(tài)繼電器的MOS FET繼電器模塊G3VM-21MT- 有助于降低測(cè)試設(shè)備的維護(hù)頻率并提高電子元件的生產(chǎn)率!


MOS FET繼電器模塊G3VM-21MT這款電子元件* 2至采用“ T型電路結(jié)構(gòu)” * 3T型電路結(jié)構(gòu)包括緊湊的尺寸和更長的使用壽命的固態(tài)繼電器,這些固態(tài)繼電器無需物理接觸即可輸出信號(hào),因此繼電器模塊將泄漏電流* 4 降至最低,這是半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備長期以來一直存在的問題。G3VM-21MT可以進(jìn)行高精度測(cè)量并提高電子元件的生產(chǎn)率。


G3VM-21MT能夠在主要用于半導(dǎo)體器件電氣測(cè)試的測(cè)試設(shè)備中切換測(cè)量信號(hào)。除了體積小,使用壽命長的MOS FET繼電器功能外,G3VM-21MT是一個(gè)具有“ T型電路結(jié)構(gòu)”的MOS FET繼電器模塊,該模塊由三個(gè)MOS FET繼電器組成,有助于將泄漏電流降至最低水平,而又不影響測(cè)試設(shè)備的檢查精度,同時(shí)可以進(jìn)行高精度測(cè)量并降低測(cè)試設(shè)備的維護(hù)頻率。

在數(shù)字時(shí)代,電子組件的功能日益多樣化,產(chǎn)量不斷增長,對(duì)高性能半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的需求日益增長。機(jī)械簧片繼電器* 5,已用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中進(jìn)行高精度測(cè)量的零件,其泄漏電流極低,但需要定期更換,由于導(dǎo)通觸點(diǎn)的磨損和磨損,可能每個(gè)月要更換幾次影響測(cè)量精度。這種維護(hù)工作可能會(huì)嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率,因此長期以來一直希望采用固態(tài)繼電器,因?yàn)槠涫褂脡勖L。迄今為止,由于技術(shù)上的困難,MOS FET繼電器被認(rèn)為不適合用于精確的電氣測(cè)試,以降低與其特性有關(guān)的泄漏電流,并且尚未用于要求高可靠性的測(cè)試設(shè)備中。

為了滿足這些需求,采用“ T型電路結(jié)構(gòu)”成功實(shí)現(xiàn)了繼電器模塊產(chǎn)品的商業(yè)化,并顯著降低了泄漏電流小于或等于1pA(萬億分之一)安培的一部分)。將固態(tài)繼電器中的泄漏電流減小到盡可能接近零的挑戰(zhàn)消除了泄漏電流問題,并提高了測(cè)試設(shè)備的可靠性。此外,通過將長壽命的MOS FET繼電器集成到繼電器模塊中,可以縮短維修停機(jī)時(shí)間,這對(duì)于機(jī)械繼電器一直是一個(gè)長期的挑戰(zhàn)。



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